LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿(mǎn)足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線(xiàn)的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過(guò)光刻工藝將發(fā)光區盡可能多地露出來(lái)，使留下來(lái)的合金層能滿(mǎn)足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線(xiàn)壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過(guò)合金化過(guò)程，合金化通常是在H2或N2的保護下進(jìn)行。合金化的時(shí)間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長(cháng)、等離子刻蝕工藝等。

隨著(zhù)半導體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應用也越來(lái)越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點(diǎn)。但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。提高功率意味著(zhù)芯片的使用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA。由于使用電流的加大，散熱問(wèn)題成為突出問(wèn)題，現在通過(guò)芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著(zhù)LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應用會(huì )面臨一個(gè)前所未有的機遇和挑戰。